IRF1018EPBF - MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB

Hersteller Teilenummer

IRF1018EPBF

Interne Teilenummer

AX-IRF1018EPBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

346370 Pieces

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Technische Daten für IRF1018EPBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF1018EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 79A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 47A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 69nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2290pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 110W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IRF1018EPBF

Datenblätter : IRF1018EPBF.pdf

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