FCP20N60_G - INTEGRATED CIRCUIT

Hersteller Teilenummer
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Hersteller
Kurze Beschreibung
INTEGRATED CIRCUIT
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FCP20N60_G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FCP20N60_G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : INTEGRATED CIRCUIT
Serie : SuperFET™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3080pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 208W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220-3
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : FCP , FCP20

Dokumente für FCP20N60_G

Datenblätter : FCP20N60_G.pdf

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