FQPF19N10 - MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F

Hersteller Teilenummer

FQPF19N10

Interne Teilenummer

AX-FQPF19N10

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für FQPF19N10

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FQPF19N10

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F

Serie : QFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 780pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 38W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220F

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FQPF19N10

Datenblätter : FQPF19N10.pdf

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