IXFA130N10T - MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK

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MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
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Technische Daten für IXFA130N10T

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXFA130N10T
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Serie : TrenchMV™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 130A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 104nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5080pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 360W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263 (IXFA)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IXF , IXFA1

Dokumente für IXFA130N10T

Datenblätter : IXFA130N10T.pdf

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