IPL60R650P6SATMA1 - MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
743645 Pieces
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Technische Daten für IPL60R650P6SATMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IPL60R650P6SATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
Serie :
CoolMOS™ P6
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
557pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
56.8W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-ThinPak (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IPL60R650P6SATMA1
Datenblätter :
IPL60R650P6SATMA1.pdf
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