QS8K11TCR - 4V DRIVE NCHNCH MOSFET

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Hersteller
Kurze Beschreibung
4V DRIVE NCHNCH MOSFET
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für QS8K11TCR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : QS8K11TCR
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : 4V DRIVE NCHNCH MOSFET
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : -
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.3nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 10V
Leistung max : 1.5W
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package : TSMT8
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : QS8K11TCR.pdf

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