CSD25303W1015 - MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für CSD25303W1015
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
CSD25303W1015
Hersteller :
Texas Instruments
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Serie :
NexFET™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
58 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
435pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-DSBGA (1x1.5)
Paket / fall :
6-UFBGA, DSBGA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für CSD25303W1015
Datenblätter :
CSD25303W1015.pdf
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