STPSC1006G-TR - DIODE SILICON 600V 10A D2PAK

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DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
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Technische Daten für STPSC1006G-TR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STPSC1006G-TR
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 10A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 150µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 650pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : D²PAK
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : STPS , STPSC1

Dokumente für STPSC1006G-TR

Datenblätter : STPSC1006G-TR.pdf

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