STP6N65M2 - MOSFET N-CH 650V 4A TO-220AB
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-STP6N65M2
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
236160 Pieces
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Technische Daten für STP6N65M2
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
STP6N65M2
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220AB
Serie :
MDmesh™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.35 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
226pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
60W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220
Paket / fall :
TO-220-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für STP6N65M2
Datenblätter :
STP6N65M2.pdf
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