IPB081N06L3GATMA1 - MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Hersteller Teilenummer

IPB081N06L3GATMA1

Interne Teilenummer

AX-IPB081N06L3GATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

629065 Pieces

Referenzpreis

~~USD 0.445998~~

Unser Preis

- (Bitte kontaktieren Sie uns für einen besseren Preis: [email protected])

AX Semiconductor hat IPB081N06L3GATMA1 auf Lager zum Verkauf. Wir können innerhalb von 1-2 Tagen an Sie versenden. Bitte kontaktieren Sie uns für einen günstigeren Preis für IPB081N06L3GATMA1. Unsere E-Mail: [email protected]

Versandoptionen und Lieferzeit:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Zahlungsmöglichkeiten:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Technische Daten für IPB081N06L3GATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPB081N06L3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.1 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 34µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4900pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 79W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPB08 , IPB081N0

Dokumente für IPB081N06L3GATMA1

Datenblätter : IPB081N06L3GATMA1.pdf

Verwandte Produkte für IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Artikelnummer	Marke	Beschreibung
C917U520JYSDAAWL45	KEMET	CAP CER 52PF 400VAC SL RADIAL.
WI085175WJ22238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2200PF 14KV.
WF125405WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
WF135242BQ25236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2500PF 25KV SCREW.
BZ080110WV25036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 25PF 30KV.
WF110250WJ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
BZ118078WV75036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 75PF 30KV AXIAL.
WI140316WQ75236BJ4	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WI140266WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
WI085444WN84236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8400PF 18KV.
SR152A2R2CAA	AVX Corporation	CAP CER 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD.
WF135285WP50233BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
WI140266WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF135272WL60238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
PEF220WH10336BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.
MC04YC223KAA	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL.
WF125300WJ76238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 14KV SCREW.
WF135250WL50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
WI106266WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
12065C223KHT1A	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206.