FQPF12P10 - MOSFET P-CH 100V 8.2A TO-220F

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MOSFET P-CH 100V 8.2A TO-220F
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Technische Daten für FQPF12P10

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FQPF12P10
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 100V 8.2A TO-220F
Serie : QFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 290 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 38W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220F
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FQPF12P10

Datenblätter : FQPF12P10.pdf

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