DMC1229UFDB-13 - MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6

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MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
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Technische Daten für DMC1229UFDB-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMC1229UFDB-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.6A, 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19.6nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 914pF @ 6V
Leistung max : 1.4W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : U-DFN2020-6 (Type B)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : DMC1 , DMC1229

Dokumente für DMC1229UFDB-13

Datenblätter : DMC1229UFDB-13.pdf

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