DMT5015LFDF-13 - MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Hersteller Teilenummer

DMT5015LFDF-13

Interne Teilenummer

AX-DMT5015LFDF-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2134700 Pieces

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Technische Daten für DMT5015LFDF-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMT5015LFDF-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 50V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 902.7pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 820mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 6-UDFN2020 (2x2)

Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : DMT5015LFDF-13.pdf

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