EDB5432BEBH-1DAAT-F-D - IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
Hersteller : Micron Technology Inc.
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße : 512Mb (16M x 32)
Taktfrequenz : 533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 105°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 134-VFBGA
Supplier Device Package : 134-VFBGA (10x11.5)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
Datenblätter : EDB5432BEBH-1DAAT-F-D.pdf
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