NP33N06YDG-E1-AY - MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON

Hersteller Teilenummer

NP33N06YDG-E1-AY

Interne Teilenummer

AX-NP33N06YDG-E1-AY

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

66710 Pieces

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Technische Daten für NP33N06YDG-E1-AY

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NP33N06YDG-E1-AY

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 33A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3900pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1W (Ta), 97W (Tc)

Betriebstemperatur : 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-HSON

Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : NP33N06YDG-E1-AY.pdf

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