RCD051N20TL - MOSFET N-CH 200V 5A CPT3

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MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
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Technische Daten für RCD051N20TL

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RCD051N20TL
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 760 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.25V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 850mW (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : CPT3
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für RCD051N20TL

Datenblätter : RCD051N20TL.pdf

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