MT47H64M8SH-25E AAT:H TR - IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
Hersteller : Micron Technology Inc.
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
Serie : -
Teilestatus : Last Time Buy
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR2
Speichergröße : 512Mb (64M x 8)
Taktfrequenz : 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 400ps
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 105°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 60-TFBGA
Supplier Device Package : 60-FBGA (10x18)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : MT47H64M , MT47H64M8SH-
Dokumente für MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
Datenblätter : MT47H64M8SH-25E AAT:H TR.pdf
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