DMN32D4SDW-13 - MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

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MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
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Technische Daten für DMN32D4SDW-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN32D4SDW-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 650mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 15V
Leistung max : 290mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SOT-363
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : DMN3 , DMN32D

Dokumente für DMN32D4SDW-13

Datenblätter : DMN32D4SDW-13.pdf

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