DMP21D6UFB4-7B - MOSFET BVDSS 8V-24V X2-DFN1006-
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Kurze Beschreibung
MOSFET BVDSS 8V-24V X2-DFN1006-
RoHS-Status
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Technische Daten für DMP21D6UFB4-7B
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
DMP21D6UFB4-7B
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 8V-24V X2-DFN1006-
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
580mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.8nC @ 8V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
46.1pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
510mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
X2-DFN1006-3
Paket / fall :
3-XFDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für DMP21D6UFB4-7B
Datenblätter :
DMP21D6UFB4-7B.pdf
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