FJV3113RMTF - TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
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Technische Daten für FJV3113RMTF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FJV3113RMTF
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 68 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang : 250MHz
Leistung max : 200mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : FJV , FJV31

Dokumente für FJV3113RMTF

Datenblätter : FJV3113RMTF.pdf

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