IRFHS8342TRPBF - MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN

Hersteller Teilenummer

IRFHS8342TRPBF

Interne Teilenummer

AX-IRFHS8342TRPBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2675705 Pieces

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Technische Daten für IRFHS8342TRPBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRFHS8342TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.8A (Ta), 19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.1W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TSDSON-6

Paket / fall : 6-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : IRFHS8342TRPBF.pdf

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