IRFU3711PBF - MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK

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MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
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Technische Daten für IRFU3711PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRFU3711PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2980pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : IPAK (TO-251)
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IRFU3711PBF

Datenblätter : IRFU3711PBF.pdf

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