DMN2080UCB4-7 - MOSFET BVDSS 8V24V X2-WLB0808-

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MOSFET BVDSS 8V24V X2-WLB0808-
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Technische Daten für DMN2080UCB4-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN2080UCB4-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET BVDSS 8V24V X2-WLB0808-
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 56 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 710mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : X2-WLB0606-4
Paket / fall : 4-XFBGA, WLBGA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DMN2080UCB4-7

Datenblätter : DMN2080UCB4-7.pdf

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