EMG3T2R - TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3

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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
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Technische Daten für EMG3T2R

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : EMG3T2R
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : -
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 150mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang : 250MHz
Leistung max : 150mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SC-75, SOT-416
Supplier Device Package : EMT3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : EMG3T2R.pdf

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