SISH110DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8SH
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8SH
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Technische Daten für SISH110DN-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SISH110DN-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8SH
Serie : TrenchFET® Gen II
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.3 mOhm @ 21.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8SH
Paket / fall : PowerPAK® 1212-8SH
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SISH110DN-T1-GE3
Datenblätter : SISH110DN-T1-GE3.pdf
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