IRFSL23N20D - MOSFET N-CH 200V 24A TO-262

Hersteller Teilenummer

IRFSL23N20D

Interne Teilenummer

AX-IRFSL23N20D

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 24A TO-262

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

63520 Pieces

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Technische Daten für IRFSL23N20D

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRFSL23N20D

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 24A TO-262

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 86nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1960pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.8W (Ta), 170W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-262

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IRF , IRFSL

Dokumente für IRFSL23N20D

Datenblätter : IRFSL23N20D.pdf

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