DMN21D2UFB-7B - MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN

Hersteller Teilenummer

DMN21D2UFB-7B

Interne Teilenummer

AX-DMN21D2UFB-7B

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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5446785 Pieces

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Technische Daten für DMN21D2UFB-7B

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN21D2UFB-7B

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 760mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 990 mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.93nC @ 10V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 27.6pF @ 16V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 380mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 3-DFN1006 (1.0x0.6)

Paket / fall : 3-UFDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DMN2 , DMN21D

Dokumente für DMN21D2UFB-7B

Datenblätter : DMN21D2UFB-7B.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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