IRFSL7540PBF - MOSFET N-CH 60V 120A TO262
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRFSL7540PBF
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 120A TO262
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IRFSL7540PBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRFSL7540PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 120A TO262
Serie : HEXFET®, StrongIRFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.1 mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4555pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 160W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-262
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRFSL7540PBF
Datenblätter : IRFSL7540PBF.pdf
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