SE70PBHM3_A/I - DIODE GEN PURP 100V 2.9A TO277A
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 2.9A TO277A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1147500 Pieces
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Technische Daten für SE70PBHM3_A/I
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SE70PBHM3_A/I
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 100V 2.9A TO277A
Serie :
Automotive, AEC-Q101, eSMP®
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
2.9A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.05V @ 7A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
2.6µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
20µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F :
76pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-277, 3-PowerDFN
Supplier Device Package :
TO-277A (SMPC)
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 175°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SE70PBHM3_A/I
Datenblätter :
SE70PBHM3_A/I.pdf
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