FDI047AN08A0 - MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB

Hersteller Teilenummer

FDI047AN08A0

Interne Teilenummer

AX-FDI047AN08A0

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für FDI047AN08A0

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDI047AN08A0

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 75V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 138nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6600pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 310W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I2PAK (TO-262)

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDI047AN08A0

Datenblätter : FDI047AN08A0.pdf

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