TK56A12N1,S4X - MOSFET N-CH 120V 56A TO-220

Hersteller Teilenummer

TK56A12N1,S4X

Interne Teilenummer

AX-TK56A12N1,S4X

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 120V 56A TO-220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

223735 Pieces

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Technische Daten für TK56A12N1,S4X

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK56A12N1,S4X

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 120V 56A TO-220

Serie : U-MOSVIII-H

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 120V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 56A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 69nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4200pF @ 60V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 45W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220SIS

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : TK56A12N1,S4X.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.
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VJ0603Q3R3CEAAO	Vishay Vitramon	CAP CER 3.3PF 50V C0G/NP0 0603.
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