NSVBAS19LT1G - DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-NSVBAS19LT1G
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
13945930 Pieces
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Technische Daten für NSVBAS19LT1G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NSVBAS19LT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 120V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 200mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100nA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für NSVBAS19LT1G
Datenblätter : NSVBAS19LT1G.pdf
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