TSM1NB60CW RPG - MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2470705 Pieces
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Technische Daten für TSM1NB60CW RPG
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
TSM1NB60CW RPG
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.1nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
138pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
39W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-223
Paket / fall :
TO-261-4, TO-261AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für TSM1NB60CW RPG
Datenblätter :
TSM1NB60CW RPG.pdf
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