1N5407GHB0G - DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-1N5407GHB0G
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für 1N5407GHB0G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 1N5407GHB0G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 3A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F : 25pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : DO-201AD, Axial
Supplier Device Package : DO-201AD
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für 1N5407GHB0G
Datenblätter : 1N5407GHB0G.pdf
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