MGSF2N02ELT1G - MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23

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MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23
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Technische Daten für MGSF2N02ELT1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : MGSF2N02ELT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.5nC @ 4V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 150pF @ 5V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.25W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236)
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : MGSF , MGSF2N

Dokumente für MGSF2N02ELT1G

Datenblätter : MGSF2N02ELT1G.pdf

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