BSS225H6327FTSA1 - MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

Hersteller Teilenummer

BSS225H6327FTSA1

Interne Teilenummer

AX-BSS225H6327FTSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für BSS225H6327FTSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSS225H6327FTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

Serie : SIPMOS®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 90mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 Ohm @ 90mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 94µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 131pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-SOT89

Paket / fall : TO-243AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : BSS225H6327FTSA1.pdf

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