IPW65R041CFDFKSA1 - MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
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MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
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Technische Daten für IPW65R041CFDFKSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPW65R041CFDFKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 68.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 33.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 3.3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 300nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8400pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 500W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO247-3
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPW65R041CFDFKSA1
Datenblätter : IPW65R041CFDFKSA1.pdf
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