DMN1016UCB6-7 - MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
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Technische Daten für DMN1016UCB6-7
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
DMN1016UCB6-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
423pF @ 6V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
920mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
U-WLB1510-6
Paket / fall :
6-UFBGA, WLBGA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für DMN1016UCB6-7
Datenblätter :
DMN1016UCB6-7.pdf
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