IRFB3307ZGPBF - MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IRFB3307ZGPBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRFB3307ZGPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.8 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4750pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 230W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRFB3307ZGPBF
Datenblätter : IRFB3307ZGPBF.pdf
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