FDU6612A - MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK

Hersteller Teilenummer

FDU6612A

Interne Teilenummer

AX-FDU6612A

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK

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Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für FDU6612A

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDU6612A

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.5A (Ta), 30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.8W (Ta), 36W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I-PAK

Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDU6612A.pdf

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