IS61DDB21M18A-300B4L - IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
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Kurze Beschreibung
IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IS61DDB21M18A-300B4L
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IS61DDB21M18A-300B4L
Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung : IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße : 18Mb (1M x 18)
Taktfrequenz : 300MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 165-LBGA
Supplier Device Package : 165-LFBGA (13x15)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IS61DDB21M18A-300B4L
Datenblätter : IS61DDB21M18A-300B4L.pdf
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