FDZ298N - MOSFET N-CH 20V 6A BGA

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MOSFET N-CH 20V 6A BGA
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Technische Daten für FDZ298N

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDZ298N
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 6A BGA
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 680pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.7W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 9-BGA (1.5x1.6)
Paket / fall : 9-WFBGA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FDZ298N

Datenblätter : FDZ298N.pdf

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