HS8K11TB - MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-HS8K11TB
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3047290 Pieces
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Technische Daten für HS8K11TB
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : HS8K11TB
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.9 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11.1nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 15V
Leistung max : 2W
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : HSML3030L10
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für HS8K11TB
Datenblätter : HS8K11TB.pdf
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