IS43R86400E-5BLI-TR - IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IS43R86400E-5BLI-TR
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IS43R86400E-5BLI-TR
Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR
Speichergröße : 512Mb (64M x 8)
Taktfrequenz : 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 700ps
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 60-TFBGA
Supplier Device Package : 60-TFBGA (13x8)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IS43R86400E-5BLI-TR
Datenblätter : IS43R86400E-5BLI-TR.pdf
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