US1M-E3/5AT - DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-US1M-E3/5AT
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
4429355 Pieces
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Technische Daten für US1M-E3/5AT
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : US1M-E3/5AT
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AC, SMA
Supplier Device Package : DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für US1M-E3/5AT
Datenblätter : US1M-E3/5AT.pdf
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