TJ10S04M3L(T6L1,NQ - MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3

Hersteller Teilenummer

TJ10S04M3L(T6L1,NQ

Interne Teilenummer

AX-TJ10S04M3L(T6L1,NQ

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für TJ10S04M3L(T6L1,NQ

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Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TJ10S04M3L(T6L1,NQ

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3

Serie : U-MOSVI

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 44 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V

Vgs (Max) : +10V, -20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 930pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 27W (Tc)

Betriebstemperatur : 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DPAK+

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : TJ10S0 , TJ10S04M3

Dokumente für TJ10S04M3L(T6L1,NQ

Datenblätter : TJ10S04M3L(T6L1,NQ.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402.