SI4931DY-T1-E3 - MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
RoHS-Status
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Technische Daten für SI4931DY-T1-E3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI4931DY-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 350µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
1.1W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI4931DY-T1-E3
Datenblätter :
SI4931DY-T1-E3.pdf
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