IXFH150N20T - MOSFET N-CH 200V 150A TO-247

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MOSFET N-CH 200V 150A TO-247
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Technische Daten für IXFH150N20T

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXFH150N20T
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 150A TO-247
Serie : HiPerFET™, TrenchT2™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 150A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 177nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11700pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 890W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247AD (IXFH)
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IXFH150N20T

Datenblätter : IXFH150N20T.pdf

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