MT53B512M32D2DS-053 AAT:E - IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

Hersteller Teilenummer

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

Interne Teilenummer

AX-MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

Hersteller

Micron Technology Inc.

Kurze Beschreibung

IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

58660 Pieces

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Technische Daten für MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

Hersteller : Micron Technology Inc.

Beschreibung : IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

Serie : -

Teilestatus : Active

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : DRAM

Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße : 16Gb (512M x 32)

Taktfrequenz : 1866MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -

Zugriffszeit : -

Speicherschnittstelle : -

Spannungsversorgung : 1.1V

Betriebstemperatur : -40°C ~ 105°C (TA)

Befestigungsart : -

Paket / fall : -

Supplier Device Package : -

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : MT53B512 , MT53B512M32D

Dokumente für MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

Datenblätter : MT53B512M32D2DS-053 AAT:E.pdf

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12065C223KHT1A	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206.