BUK9E4R9-60E,127 - MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK

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MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
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Technische Daten für BUK9E4R9-60E,127

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BUK9E4R9-60E,127
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Serie : TrenchMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 5V
Vgs (Max) : ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9710pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 234W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I2PAK
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für BUK9E4R9-60E,127

Datenblätter : BUK9E4R9-60E,127.pdf

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